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    300 V 超结 X3 系列 HiPerFET? 功率 MOSFET

    300 V 超结 X3 系列 HiPerFET? 功率 MOSFET

    IXYS 的 300 V X3 系列功率 MOSFET (300 V Ultra-Junction X3-Class HiPerFET? Power MOSFETs)具有基准导通电阻和栅极电荷品质因数

    发布时间:2018-12-20

    IXYS LLC(?#36136;?#20110; Littelfuse)推出了一个新功率半导体产品线:300 V Ultra-Junction X3 系列 HiPerFET 功率 MOSFET。其导通电阻和栅极电荷分别低至 4.6 毫欧和 22 纳库伦,针对软硬开关电源转换应用进行了优化。

    与 IXYS 的其他超结产品一样,这些新器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,使功率 MOSFET 具有同类最佳的品质因数(导通电阻乘以栅极电荷)。它们具有?#21040;?#26368;低的导通电阻(例如,TO-264 封装为 5.5毫欧,SOT-227 为 4.6 毫欧),可实现电力系统中最高的功率密度和能效。

    凭借超低反向恢复电荷和时间,快速体二极管能够在高速开关期间消除所有剩余能量,以避免器件?#25910;?#24182;实现高效率。此外,新型 MOSFET 具有出色的 dv/dt 性能(最高 20 V/ns),并且具有雪崩功能。因此,这些坚固的设备需要的缓冲器更少,并且可以用于硬开关或谐振功率转换器。

    目标应用包括用于电信电源的同步整流、电机控制(48 V 至 110 V 系统)、不间?#31995;?#28304;、高性能D类音频放大器、DC-DC 转换器、太阳能逆变器和多电平逆变器。

    该系列?#22771;?#26377; 25 个产品可供,是?#21040;?#26368;广泛的 300 V 超结 MOSFET 产品系列。它们采用以下国?#26102;?#20934;尺寸封装:TO-3P、TO220(包覆成型或标准)、TO-247、PLUS247、TO-252、TO-263、TO-264、TO-268HV、SOT227。示例部件号包括 IXFY26N30X3、IXFA38N30X3、IXFT150N30X3HV 和 IXFN210N30X3,其额定电流分别为 26 A、38 A、150 A 和 210 A。


    300 V 超结 X3 系列 HiPerFET? 功率 MOSFET特性

    特性

    • 一流的导通电阻 RDS(on) 和栅极电荷 Qg 品质因数

    • 快速恢复二极管

    • dv/dt 和雪崩稳健性

    • 国?#26102;?#20934;封装


    优势

    • 最高效率

    • 高功率密度

    • 易于加入设计


    300 V 超结 X3 系列 HiPerFET? 功率 MOSFET应用

    1. 电信电源的同步整流

    2. 电机控制(48 V 至 110 V 系统)

    3. 不间?#31995;?#28304; (UPS)

    4. 高性能 D 类音频放大器

    5. DC-DC 转换器

    6. 太阳能逆变器

    7. 多级逆变器

    300V Ultra-Junction X3-Class Power MOSFETs
    图片数据手册产品型号产品分类产品描述价格操作
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    应用案例

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